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北京赛车PK10七码锗管约为0.1V

2019-05-15 00:50

  分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过

  普通二极管的检测(包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管)是由一个PN结构成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

  在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

  用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:

  是指二极管长期连续工作时,允许通过的大正向平均电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,北京赛车PK10七码二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

  加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。

  反向电流是指二极管在常温(25℃)和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

  Fm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样,其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

  αuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好

  在实际的实验中,为了保证通过二极管的电流小于20A,我们的输入电压设为10V,得到的输出电压为120V。首先选择了电力系统中常用的1700V Si IGBT模块(Infineon FF650R17IE4及Si PiN二极管)与1700V Si IGBT(Infineon FF650R17IE4)及SiC二极管(Cree C2D20120D)进行比较。由实验波形可知,两种情况下IGBT电压变化波形基本没什么区别。IGBT在关断过程中总趋势是 IGBT电压升高,电流降低。但是在电压上升过程中出现两个脉冲过电压,对应两个脉冲过电压时刻出现两个电流下降尖峰, 这是由给定驱动信号波形决定,因为在两个脉冲过电压时刻给定驱动信号波形的dv/dt很大。其中Si IGBT和Si PiN 二极管组合中,两个峰值电压为174V和194V;Si IGBT和SiC SBD组合中,两个峰值电压为176V和216V。

  通过比较,可以看出碳化硅二极管在动态特性中起到了很大的作用。在IGBT关断过程中,IGBT的电流先振荡,再减小。可以从图中明显的看出使用碳化硅二极管大大降低了关断电流的振荡幅度。同时,二极管电流先上升至大,待IGBT两端电压稳定后,随着电感能量的释放电感电流逐渐减小,从而二极管的电流也跟着降低,在对应IGBT出现过电压处,二极管电流也出现两个尖峰。硅二极管在这两个尖峰之间还出现了短期的振荡,在使用碳化硅二极管是这种振荡的幅度大大减小了。

  碳化硅二极管是用碳化硅为原料的二极管。目前常见的多为高压的肖特基碳化硅二极管,其优点:反向恢复特性很好,媲美肖特基硅二极管。但是可以做高压的二极管。在PFC中已有较多应用。缺点:正向导通压降比较大。还有一点与硅二极管不同的是其导通压降随温度上升反而增大。早期的碳化硅二极管,还有可承受冲击电流小,可靠性不高等

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